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MERLIN

Analysefähigkeit im Subnanometer-Bereich

MERLIN Rasterelektronenmikroskop

 

 

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MERLIN

Von der Bildgebung bis hin zu umfassenden Laborleistungen: Analysefähigkeit im Subnanometerbereich

MERLIN mit der GEMINI II Säule vereint ultraschnelle Analytik, hochauflösendes Imaging durch fortschrittliche Detektionsmodi und zukunftssicher flexible Konfiguration in einem einzigen System.

Dank der vorjustierten GEMINI II Optik können Imaging-Einstellungen wie Spannung oder Sondenstrom nahtlos über Vergrößerungsstufen hinweg auf Anwendung und Probe abgestimmt werden. Eine Nachjustierung ist nicht erforderlich. Auch unerfahrene Benutzer erzielen auf diese Weise optimale Resultate. Systemoptimierung für hohe Stromdichte, Sondenstromstärken von bis zu 300 nA und hervorragende Auflösung bei hohen Strahlströmen garantieren schnelle Resultate in der Nanoanalytik.

Gewinnen Sie ein Maximum an Informationen aus Ihrer Probe mit paralleler, auf der optischen Achse erfolgenden in-lens Erfassung von Sekundärelektronen (SE) und energieselektiver Erfassung von Rückstreuelektronen(EsB), die kleinste Unterschiede in der Materialzusammensetzung nachweisen kann.

Dank seines modularen Kammeraufbaus, über 15 Anschlüssen und einer reichhaltigen Auswahl anwendungsspezifischer Module wie zum Beispiel Rasterkraftmikroskopie (AFM), in-situ Ultramikrotomie, Abbildung großer Probenbereiche und lokaler Aufladungskompensation für komfortables Imaging nicht leitender Proben passt sich Merlin flexibel Ihren Anwendungen an, vom Rasterelektronenmikroskop bis hin zu einem kompletten Labor für Nanocharakterisierung.

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Daten
Auflösung
bis zu 0,6 nm (STEM -Modus)
Sondenstromstärke
bis zu 300 nA
Beschleunigungsspannung
20V bis 30 kV
  
Detektionsmodi (Auswahl)
 
In-lens (SE)
in-lens Sekundärelektronenerfassung auf der optischen Achse
In-lens (EsB)
energieselektive in-lens Rückstreuelektronenerfassung auf der optischen Achse für stärkere Materialkontraste; paralleles in-lens SE- und EsB-Imaging
Winkelselektive Rückstreuelektronenerfassung (AsB-Detektor)
für kristallographische Kontraste.
3DSMFür Echtzeitdarstellung der 3D-Oberflächentopographie.
STEMFür niedrige Spannungen optimiertes Hellfeld-Imaging, 4-Quadranten-Dunkelfeld-Imaging und High-Angle Annular Dark Field (HAADF)-Imaging.
  
Anwendungsmodule (Auswahl) 
ATLAS GroßflächenabbildungZur Darstellung großer Probenbereiche.
Rasterkraftmikroskopie (AFM)Erweitert die Möglichkeiten des REM bis zur Auflösung von Atomschichten und der Untersuchung von Oberflächenmagnetismus oder lokaler Leitfähigkeit.
Lokale AufladungskompensationDarstellung nicht leitender Proben ohne Abstriche bei der Detektionsleistung.
3ViewIn-situ Ultramikrotom für die 3D-Rekonstruktion großvolumiger Weichproben.

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So vielseitig wie Ihre Anwendungen

Gewinnen Sie Einblicke in Nanowerkstoffe, Halbleiterproben, Mineralien, Stähle und Legierungen. Nutzen Sie unser Angebot anwendungsspezifischer Optionen:

  • Setzen Sie die Hybrid-Option REM/AFM (Rasterkraftmikroskopie) ein, um in atomarer Auflösung Informationen über Ihre Halbleiter- und Nanomaterialproben zu erhalten
  • Bilden Sie mit dem ATLAS Mapping-Modul große Probenbereiche ab, um den Aufbau von Halbleiterstrukturen zu überprüfen
  • Untersuchen Sie nicht leitende Proben wie Mineralien, Keramik, Glas und Polymere ohne Zugeständnisse bei Strahlspannung, Detektion und Analyseleistung – die Aufladungskompensation durch lokale Druckvariation macht es möglich
  • Erfassen Sie mit dem 3DSM Imaging-Modul in Echtzeit bequem die Topographie und Oberflächenrauheit von MEMS-Bauteilen, Nanostrukturen, Eindrücke für Härtemessungen oder Kratzspuren bei forensischen Untersuchungen
  • Stellen Sie dank des einzigartigen GEMINI Linsendesigns magnetische Proben ohne Bildstörungen dar.
  • Fügen Sie das Ultramikrotom 3View hinzu, um 3D-Rekonstruktionen großvolumiger Weichproben zu erhalten.

Bild einer stark isolierenden Faser mit Aufladungskompensation durch lokale Druckvariation.

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Die Leistungsfähigkeit moderner Materialien, Nanoverbundstoffe, hochfester Stähle und Halbleiterstrukturen hängt entscheidend von kleinsten Details ihrer Zusammensetzung ab. Das MERLIN Complete Detection System mit energieselektiver Erfassung von Rückstreuelektronen (EsB-Detektion) auf der optischen Achse eignet sich ideal für die Sichtbarmachung dieser kompositorischen Feinheiten. Dank energieselektiver Veränderungen im verlustarmen System der Rückstreuelektronen, das materialabhängig reagiert, können Verbindungen sowie deren Derivate und Phasen unterschieden werden. Die einzigartige, symmetrische, auf der optischen Achse liegende Bauform macht Justierungen der Ausrichtung nach Änderung von Betriebsparametern überflüssig.

Für eine umfassende Probencharakterisierung kann das Signal von anderen Detektoren, z. B. dem sekundären in-lens Detektor, aufgezeichnet und parallel angezeigt werden.

 

Bild von drei Kohlenstoffmodifikationen mit low-loss EsB-Detektion: amorpher Kohlenstoff (dunkel), Diamant (dunkelgrau), Graphit (hellgrau)

Bild von drei Kohlenstoffmodifikationen mit low-loss EsB-Detektion: amorpher Kohlenstoff (dunkel), Diamant (dunkelgrau), Graphit (hellgrau)

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ZEISS Atlas 5 – Meistern Sie Ihre multi-dimensionale Herausforderung

Mit Atlas 5 erstellen Sie multi-dimensionale Bilder. Atlas 5 ist ein leistungsstarkes Paket aus Hardware und Software, das Ihr ZEISS Rasterelektronenmikroskop (REM) ergänzt.

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Rekonstruieren Sie Ihre 2D SEM Bilder in 3D

Ihr Rasterelektronenmikroskop misst und analysiert alle Arten von Proben in 2D: Verwenden Sie für die Analyse von Probenoberflächen in 3D die Systemerweiterung 3DSM. 3DSM, die computerbasierte Anwendung von ZEISS, liefert Ihnen topografische Informationen durch Rekonstruktion eines kompletten 3D-Oberflächenmodells auf der Grundlage der Signale des AsB-Detektors des REM. 

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FIB-SEM-Mikroskop

Visualisierungs- und Analyse-Software

ZEISS empfiehlt Visual SI Advanced von Object Research Systems (ORS)
Die erweiterte Analyse-und Visualisierungs-Software für Ihre 3D Datensätze aus verschiedensten Technologien einschließlich Röntgenmikroskopie, FIB-REM und REM.
Visual SI Advanced ermöglicht durch die erweiterten Visualisierungstechniken und die State-of-the-Art Volumengraphiken hochauflösende Analysen der Details und Eigenschaften von 3D Datensätzen.

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White Paper: Electron backscatter diffraction (EBSD)

of nonconductive samples using in-situ charge compensation

Seiten: 7
Dateigröße: 2.931 kB
Revision 07.05.2013

 

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