Interdiffusion von Ni in Si-Nanodrähte für die Bildung rekonfigurierbarer Schottky-Übergänge

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Dresden Center for Nanoanalysis
(DCN)

Dresden Deutschland

Dresden Center for Nanoanalysis (DCN)
Technische Universität Dresden
Barkhausenbuilding, Room 168
Helmholtzstraße 18
01069 Dresden
Germany
  • Rasterelektronenmikroskopie einschließlich Elementaranalyse (EDS) und quantitativer Mikrostrukturanalyse (EBSD)
  • Submikrometer-Röntgentomographie
    (höchste räumliche Auflösung 700 nm)
  • Bearbeitung mit fokussiertem Ionenstrahl
    (z.B. Lift-out von Proben)
Bilder eines auf einem Nanodraht (Kreis) basierenden Schaltkreises

Bilder eines auf einem Nanodraht (Kreis) basierenden Schaltkreises

Das Hauptziel des Dresden Center for Nanoanalysis (DCN) ist die Aufklärung und gezielte Nutzung von Struktur-Eigenschafts-Beziehungen. Wie führt die Struktur eines Bauteils oder Materials zu dessen endgültigen Eigenschaften? An welchen Stellschrauben können wir die Eigenschaften auf Basis dieses Wissens beeinflussen, um die optimale Leistung zu bekommen?

Um dieses Ziel zu erreichen ist das DCN mit modernsten Elektronen- und Röntgenmikroskopen ausgestattet, mit deren Hilfe Materialien im Größenbereich von cm bis nm charakterisiert werden können. Zusätzlich können auch Materialzusammensetzung, Kristallstruktur und 3D Morphologie analysiert werden.

REM Bild eines ausgeheizten Films aus  ITO (Indium Tin Oxide) auf Glas

REM Bild eines ausgeheizten Films aus ITO (Indium Tin Oxide) auf Glas

Das DCN ist Teil des Center for Advancing Electronics Dresden (cfaed), des Exzellenzclusters der Technischen Universität Dresden. Aus diesem Grund liegt das Hauptaugenmerk in der Charakterisierung von Materialien für neuartige elektronische Bauteile. Darüber hinausgehend bearbeitet das DCN auch weitere Forschungsthemen und heißt Nutzer willkommen, die Geräte und Expertise für Nanoanalytik benötigen.
 

Röntgentomographie zur Vermessung und Fehleranalyse in TSVs (Through-Silicon Vias)

Röntgentomographie zur Vermessung und Fehleranalyse in TSVs (Through-Silicon Vias)

Know-how/Expertise:

  • Rasterelektronenmikroskopie, inklusive Elementanalyse mittels Energiedispersiver Röntgenspektroskopie (EDS), sowie quantitativer Mikrostrukturanalyse mittels gebeugter Rückstreuelektronen (EBSD)
  • Sub-Mikrometer-Röntgentomographie (700nm echte Auflösung)
  • Prozessierung mittels fokussiertem Ionenstrahl (FIB), z.B. für TEM Probenvorbereitung