Geschichte & Meilensteine

Im Bereich der Halbleitertechnik blickt ZEISS auf eine rund 50-jährige Geschichte zurück. Der Grundstein für unsere einzigartigen Kompetenzen wurde sogar schon vor über 100 Jahren gelegt. Klicken Sie sich hier durch unsere Meilensteine der Halbleitertechnik:

  • 1968 - 1979
    1968

    ZEISS liefert erstmals ein Objektiv für einen Schaltkreisdrucker (Vorgänger von den heutigen Wafersteppern und -scannern) der Firma Telefunken, es bildet Strukturen von 1,25 Mikrometern ab.

    1977

    Das Objektiv S-Planar® 10/0,28 mit einer Auflösung von 1 Mikrometer wird im weltweit ersten Waferstepper der amerikanischen Firma David Mann (später GCA) eingesetzt, das führt in den folgenden Jahren zum ersten Boom für die Halbleitersparte von ZEISS.

  • 1980 - 1989
    1982

    ZEISS stellt die erste Optik für die Arbeitswellenlänge 365 Nanometer (I-Line) vor. Das S-Planar® 10/0,32 ist der erste Schritt in die Nanometer-Welt (Strukturgröße: 800 Nanometer).

    1983

    ZEISS liefert die erste Projektions- und Beleuchtungsoptik an die niederländische Firma Philips (später wird ASML, strategischer Partner der Carl Zeiss SMT GmbH, aus dem Unternehmen ausgegliedert).

    1989

    Mit einer Arbeitswellenlänge des eingesetzten Lichts von 248 Nanometern (Lichtquelle: ein Excimer-Laser mit dem Füllgas Kryptonfluorid) ermöglicht das Objektiv S-Planar® 5/0,42 Strukturen unter 500 Nanometern.

  • 1990 - 1999
    1993

    Das S-Planar® 5/0,6 (Arbeitswellenlänge: 365 Nanometer) ist der große Durchbruch im Halbleitermarkt.

    1993

    Unter dem Namen MSM 100 (heute AIMS™) kommt das erste Photomaskeninspektionssystem von ZEISS auf den Markt.

    1994

    Der Unternehmensbereich Semiconductor Manufacturing Technology von ZEISS wird gegründet.

    1995

    Das S-Planar® 4/0,57 (Arbeitswellenlänge: 248 Nanometer) wird vorgestellt. Die Optik wird zum Markt-Erfolg.

    1997

    Start der strategischen Partnerschaft von ZEISS mit dem niederländischen Hersteller von Wafersteppern und -scannern ASM Lithography (heute ASML).

    1998

    Die 193-Nanometer-Technologie (Lichtquelle: Excimer-Laser mit Füllgas Argonfluorid) von ZEISS ermöglicht den nächsten Leistungs- und Technologiesprung in der Halbleiterindustrie.

  • 2000 - 2004
    2000

    Lieferung des ersten Lasermoduls an den amerikanischen Kunden Cymer, die Partnerschaft zwischen beiden Unternehmen war 1998 beschlossen worden.

    2001

    Der ZEISS Unternehmensbereich Semiconductor Manufacturing Technology wird in vier selbständige Unternehmen aufgegliedert: Carl Zeiss SMT GmbH, Carl Zeiss Laser Optics GmbH, Carl Zeiss SMS GmbH und Carl Zeiss NTS GmbH. Der Elektronenmikroskopie-Hersteller NTS wechselt 2011 in den ZEISS Unternehmensbereich Microscopy.

    2001

    Spatenstich für das neue Werk des Unternehmensbereichs Semiconductor Manufacturing Technology in Oberkochen: Hier entsteht in den folgenden Jahren das modernste Zentrum für Lithographie-Optik weltweit.

    2004

    Das Elektronenstrahl-Reparatursystem MeRiT® für Photomasken erhält den Innovationspreis der Deutschen Wirtschaft.

  • 2005 - 2009
    2005

    Das Starlith® 1700i ist das erste ZEISS Lithographie-System, dessen Optik aus Linsen und Spiegeln aufgebaut ist (katadioptrisch). 2007 erhält die Optik den Innovationspreis der deutschen Wirtschaft.

    2005

    Das erste Großfeld-EUV-System wird ausgeliefert. Die Technologie setzt extrem ultraviolettes (EUV) Licht ein und gilt als Zukunft der Lithographie.

    2006

    Offizielle Einweihung des neuen Werks des Unternehmensbereichs Semiconductor Manufacturing Technology in Oberkochen, das ab 2011 nochmals deutlich erweitert und ausgebaut wird.

    2007

    Das Starlith® 19xyi wird erstmals ausgeliefert. Die Lithographie-Optik erreicht 2011 den Rekord als umsatzstärkstes Produkt in der Geschichte von ZEISS.

  • 2010 - 2014
    2010

    Das Maskenvermessungssystem PROVE™ kommt auf den Markt. Es ermöglicht Messungen auf 0,5 Nanometer genau.

    2011

    Der Unternehmensbereich Semiconductor Manufacturing Technology feiert zum zweiten Mal in Folge das erfolgreichste Geschäftsjahr in der Unternehmensgeschichte mit mehr als 1 Mrd. Euro Umsatz.

    2011

    Das Bundesministerium für Bildung und Forschung (BMBF) fördert die Entwicklung der EUV-Lithographie unter der Konsortialführerschaft der Carl Zeiss SMT GmbH.

    2012

    Die erste EUV-Optik der Welt geht in Serie.

    2013

    Die Werkserweiterung in Oberkochen wird abgeschlossen. Nach nur 18 Monaten Bauzeit hat sich die Fläche nahezu verdoppelt. Highlight sind die EUV-Reinräume, die höchste Anforderungen erfüllen.

    2013

    Das 500. Starlith® 19xyi wird ausgeliefert: Die Lithographie-Optik mit Immersionsausstattung ist das erfolgreichste Produkt in der Geschichte von ZEISS.

  • 2015 -
    2015

    Neue Unternehmensstruktur: Durch die Verschmelzung von Carl Zeiss Laser Optics GmbH und Carl Zeiss SMS GmbH auf die Carl Zeiss SMT GmbH ist der Unternehmensbereich auch gesellschaftsrechtlich eine Einheit.

    2016

    Carl Zeiss SMT GmbH und ihr strategischer Partner vertiefen ihre Zusammenarbeit:
    ASML wird Miteigentümer des Unternehmens.

    2016

    Der Geschäftsbereich Process Control Solutions wird gegründet. Prozesskontroll-Lösungen für Halbleiterkunden gehören nun zum Portfolio der Carl Zeiss SMT GmbH.