MMS-Familie

Monolithisch kompakt

MMS-Familie

Monolithische Miniaturspektrometer

  • Einführung

    Die MMS-Spektrometerfamilie besteht aus kompakten, robusten Messgeräten. Die Spektrometer sind mit einem Hochleistungsdetektor ausgerüstet und eignen sich insbesondere für mobile, Prozess- und OEM-Applikationen. Die einzigartige Bauweise gewährleistet permanente Kalibrierung und thermische Stabilität. Damit erzielen Sie simultan für UV und NIR garantiert präzise und zuverlässige Messungen. Es gibt keine beweglichen Teile, was eine lange Lebensdauer und hohe Robustheit sicherstellt.

    Komponenten der MMS-Familie

    • Querschnittswandler als optischer Eingang
    • Abbildendes Gitter
    • Diodenarray als opto-elektronischer Ausgang
    • Schnittstellen, Verarbeitungssoftware und Support
  • Highlights

    Nutzen

    • Zuverlässig, dauerhaft ausgerichtet
    • Keine beweglichen Teile
    • Robust, auch in rauer Umgebung
    • Kompakt
    • Schnell – simultane Auslesung
    • Permanent kalibriert
    • Großer Dynamikbereich
    • Hohe Lichtempfindlichkeit
    • Hohe Reproduzierbarkeit
    • Geringe temperaturbedingte Drift

     

     

     

  • Aufbau
    • Ausgerüstet mit dem Silizium-Photodiodenarray S3904-256Q von Hamamatsu (lediglich das MMS 1 NIR enhanced Spektrometer verwendet den Hamamatsu-Typ S8381-256Q, um eine höhere NIR-Empfindlichkeit zu erzielen)
    • Die Arrays sind in einem kürzeren Spezialgehäuse untergebracht. Dadurch ist der Aufspaltwinkel sehr klein
    • Das Diodenarray ist direkt mit einem dielektrischen Kantenfilter beschichtet
    • Holografisch geblazte Flat-Field-Gitter (das Mastergitter hat sein Effizienzmaximum bei ca. 220 nm)
    • Unverrückbares Gitter, optimal geschützt vor Staub und Gasen
    • Zentralkörper enthält einen linsenähnlichen Glaskörper (MMS 1)
    • Bei den UV-empfindlichen Modulen wurde der massive Glaskörper durch einen Hohlkörper ersetzt, auf den Gitter und Detektor geklebt sind
    • Faserbündel-Querschnittswandler zur weiteren Optimierung der Lichtstärke
    • Möglichkeit zur Modifikation von Lichtwellenleiter-Länge sowie Auslegung des Eingangs
    • Solarisationsresistente Lichtwellenleiter zur Vermeidung von Transmissionsverlusten im tiefen UV-Bereich und von Faserschäden
  • Video
  • Technische Daten
      MMS 1 MMS UV-VIS MMS UV
    Optischer Eingang Lichtwellenleiterbündel aus ca. 30 Quarzglasfasern mit jeweils 70 µm Kerndurchmesser, ausgelegt als Querschnittswandler
    Lichtwellenleiterbündel aus ca. 30 Quarzglasfasern mit jeweils 70 µm Kerndurchmesser, ausgelegt als Querschnittswandler
    Lichtwellenleiterbündel aus ca. 15 Quarzglasfasern mit jeweils 70 µm Kerndurchmesser, ausgelegt als Querschnittswandler
    Eingang rund Durchmesser: 0,5 mm NA = 0,22 (muss für Einhaltung des Angabewerts gefüllt sein), gefasst in SMA-Kupplung
    Durchmesser: 0,5 mm NA = 0,22 (muss für Einhaltung des Angabewerts gefüllt sein), gefasst in SMA-Kupplung
    Durchmesser: 0,4 mm NA = 0,22 (muss für Einhaltung des Angabewerts gefüllt sein), gefasst in SMA-Kupplung
    Ausgang linear 70 µm x 2.500 µm (optischer Eingang)
    70 µm x 2.500 µm (optischer Eingang)
    70 µm x 1.250 µm (optischer Eingang)
    Gitter Flat-Field, 366 l/mm (im Zentrum)
    Flat-Field, 366 l/mm (im Zentrum), optimiert auf ca. 220 nm
    Flat-Field, 1084 l/mm (im Zentrum), optimiert auf ca. 220 nm
    Diodenarray Hamamatsu S3904-256Q in Spezialgehäuse (S5713) (S8381-256Q für MMS 1 NIR enh.), 256 Pixel
    Hamamatsu S3904-256Q in Spezialgehäuse (S5713), 256 Pixel
    Hamamatsu S3904-256N in Spezialgehäuse (S5713), 256 Pixel
    Spektralbereich 310–1.100 nm
    Spezifikationen für den Bereich
    360–900 nm (UV-VIS enhanced)
    400–1.000 nm (NIR enhanced)
    190–720 nm
    Spezifikationen für den Bereich 220–720 nm
    250–780 nm
    Spezifikationen für den Bereich 250–780 nm
    195–390 nm
    Spezifikationen für den Bereich
    220–390 nm
    Wellenlängenrichtigkeit 0,3 nm 0,5 nm 0,2 nm
    Temperaturbedingter Drift < 0,01 nm/K < 0,006 nm/K < 0,005 nm/K
    Mittlerer spektraler Pixelabstand Δ λ Pixel ≈ 3,3 nm Δ λ Pixel ≈ 2,2 nm Δ λ Pixel ≈ 0,8 nm
    Auflösung Δ λ FWHM ≈ 10 nm Δ λ FWHM ≈ 7 nm Δ λ FWHM ≈ 3 nm
    Empfindlichkeit ≈ 10 3 Vs / J ≈ 10 3 Vs / J ≈ 10 3 Vs / J
    Falschlicht ≤ 0,8 % mit Halogenlampe für UV-VIS enhanced als Transmission bei 450 nm mit Filter GG 495
    ≤ 0,2 % mit Halogenlampe für NIR enhanced als Transmission bei 650 nm mit Filter RG 695
    ≤ 0,3 % mit Deuteriumlampe als Transmission bei 310 nm mit NaNO2-Lösung (50 g/l)
    ≤ 0,3 % Deuteriumlampe als Transmission bei 240 nm mit NaJ-Lösung (10 g/l)
    Abmessungen 70 x 50 x 40 mm 3 67 x 60 x 40 mm 3 70 x 60 x 40 mm 3
    Querschnittswandler 240 mm Standard, bis zu 1 m erhältlich
    240 mm Standard, bis zu 1 m erhältlich 240 mm Standard, bis zu 1 m erhältlich
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