Semiconductor Manufacturing Technology
Photomasken-Tuning-Lösungen

ZEISS ForTune Systeme

Überwinden die Grenzen der Lithographie

Wafer Fabs verlassen sich in hohem Maße auf Vorhersehbarkeit und Zuverlässigkeit. Das Erzielen hoher Erträge ist entscheidend, um Kunden von ihrer Leistungsfähigkeit zu überzeugen. Jede Prozessabweichung, die den Ertrag verringert, beeinträchtigt das Vertrauen des Kunden in die Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit der Wafer Fab erheblich. ZEISS bietet eine innovative Lösung zur Vermeidung von Prozessabweichungen durch die Verbesserung der Intra-Field-CDU und des Wafer On-Product-Overlay (OPO).

  • Reduziert Prozessfehler (DUV)
  • Verbessert das Wafer-On-Product-Overlay (DUV)
  • Verringert Mix- und Match-Overlay (EUV)

Hochleistungsfähiges Maskentuning-System

ZEISS ForTune und ZEISS ForTune EUV verbessern die Intra-Field-Litho-Parameter des Wafers durch Maskentuning in hoher lateraler Auflösung - und das zu geringeren Kosten als jede andere auf dem Markt erhältliche Lösung. Die Systeme sind für alle Marktsegmente (Speicher, Logik in DUV und EUV) verfügbar und decken die folgenden Anwendungen ab:

CDC Applikation

Die Wahrscheinlichkeit von Prozessfehlern, die durch Wafer-Intra-Field-CDU verursacht werden, kann mit ZEISS ForTune reduziert werden. Dank der Strategie zur Vermeidung von Abweichungen kann der Ertrag der Wafer erhöht werden, wie auf den Beispielbildern zu sehen ist.

RegC® Applikation

Sowohl ForTune als auch ForTune EUV sind zu dem Scanner komplementär. Die RegC® Funktionalität wandelt Wafer-OPO-Beiträge innerhalb des Feldes von nicht korrigierbaren in korrigierbare Fehler durch den Scanner in hoher lateraler Auflösung um. Dadurch wird das Wafer-OPO über die Fähigkeiten hinaus verbessert, die dem Scanner zur Verfügung stehen. 

  • ForTune

    Intra-Field-Lösungen mit hoher lateraler Auflösung für CDU & OVL

    Mit seinem neuesten optischen Design hebt ZEISS ForTune die beiden wichtigsten Tuning-Anwendungen in Bezug auf Effizienz, Genauigkeit und Durchsatz auf ein neues Niveau.

    • Mit Hilfe einer Ultrakurzpuls-Lasertechnologie lassen sich die optischen und mechanischen Eigenschaften der Schattierungselemente verändern und dadurch Wafer-Intra-Field CDU und Overlay verbessern.
    • Die umfassende Software-Suite ZEISS ForTune ermöglicht es den Anwendern, die spezifische Prozessleistung vor der eigentlichen Prozessausführung zuverlässig und genau vorherzusagen.
    • Grafische Darstellungen ermöglichen den Vergleich des Ausgangsproblems mit der vorhergesagten Post-Prozess-Lösung, einschließlich geeigneter Statistiken für die Scanner-Kompensation, die später im HVM verwendet werden.
  • ForTune EUV

    Verbesserung des Wafer-Overlays für die EUV-Technologie

    ZEISS ForTune EUV ist ein hochleistungsfähiges Maskentuning-System zur Verbesserung des Wafer-Overlays für die EUV-Technologie, das auf der Eingabe von Maskenregistrierung oder Wafer-Intra-Field-Overlay basiert.

    • Das neu entwickelte System ermöglicht Maskentuning für EUV-Masken mit geringer Rückseitenbeschichtung (z.B. Standard Hoya TaB 70nm Rückseitenbeschichtung) durch gut kontrollierte Verformung des EUV-Maskenmaterials.
  • Digitale Lösungen

    Für ForTune und ForTune EUV

    Eine leistungsfähige Rechenplattform ermöglicht eine Steigerung der Produktivität und Zuverlässigkeit für schnelle Berechnungen. 

    • FTM - ForTune Tuning Module - Das Tuning Module Softwarepaket wurde für ZEISS ForTune entwickelt, um die Erstellung von Formeln sowie umfangreiche Datenanalysen und Simulationen vor dem ForTune-Prozess (CDC & RegC® Anwendungen) zu erleichtern. Die vielseitigen Auftragsabwicklungsfunktionen dieses Moduls gewährleisten eine hohe Prozesseffizienz, eine überragende Vorhersagegenauigkeit und eine sofortige Entscheidungsfindung.

Reduktion von Prozessdefekten

Durch Excursion Prevention mit ForTune

Abweichungen in der Strukturierung können durch Prozess- und Lithographieparameter wie Fokus, Masken-CDU und Dosis verursacht werden. Strukturierungsdefekte können dabei durch das Zusammenspiel mehrerer Lithographieparameter entstehen, selbst wenn die einzelnen Parameter innerhalb der Spezifikationen liegen.

Zur Reduzierung von Wafer-Intra-Field-Prozessdefekten ist die Excursion Prevention mit dem ZEISS ForTune System eine bewährte Strategie. Dies kann durch den Einsatz der CDC-Applikation von ForTune erreicht werden: Es ermöglicht die Vermeidung von Exkursionen bei geringem Aufwand und niedrigen Kosten in Wafer Fabs. Infolgedessen werden die Ertragsausfälle erheblich reduziert.

Verbessertes Wafer-On-Product-Overlay

Registration Control trägt zu einer besseren OPO für DUV und EUV bei

Das Wafer On-Product Overlay (OPO) ist ein weiterer limitierender Schlüsselparameter für die Chipleistung, der gut kontrolliert werden muss. Die wichtigsten beteiligten Parameter können als feldübergreifende und feldinterne Parameter kategorisiert werden. Beide können über den Scanner gesteuert werden. Allerdings ist die Intra-Field Overlay Auflösung des Scanner begrenzt und kann nur bis zu Polynomen dritter Ordnung entlang der Scanschlitz Richtung korrigiert werden. Diese Scanner-Beschränkung führt zu nicht korrigierbaren Fehlern (NCE) bei hohen Ordnungszahlen, die dazu führen, dass die OPO außerhalb der Spezifikation liegt. ForTune wandelt NCE in CE (Correctable Errors) um, was zu einem verbesserten Intra-Field-Beitrag führt. Dies trägt dazu bei, das Wafer On-Product Overlay sowohl für DUV- als auch für EUV-Masken zu reduzieren.

Verbessertes Mix and Match

ForTune EUV reduziert das Overlay zwischen DUV- und EUV-Masken sowie EUV und EUV-Ebenen

Ein High-End-Maskensatz besteht aus mehreren DUV-Masken und einigen EUV-Masken. Die verschiedenen Ebenen müssen genau übereinander gedruckt werden, um einen funktionalen und leistungsstarken Mikrochip zu erhalten. 

Mit seiner RegC®-Funktionalität reduziert ForTune EUV den Intra-Field Anteil, was zu einem optimierten Wafer Mix Match Overlay (MMO) führt.

Wie funktioniert das Maskentuning?

Sehen Sie sich das Video über die ZEISS ForTune-Technologie an

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