ZEISS ForTune Systeme Überwinden die Grenzen der Lithographie
Wafer Fabs verlassen sich in hohem Maße auf Vorhersehbarkeit und Zuverlässigkeit. Das Erzielen hoher Erträge ist entscheidend, um Kunden von ihrer Leistungsfähigkeit zu überzeugen. Jede Prozessabweichung, die den Ertrag verringert, beeinträchtigt das Vertrauen des Kunden in die Leistungsfähigkeit und Zuverlässigkeit der Wafer Fab erheblich. ZEISS bietet eine innovative Lösung zur Vermeidung von Prozessabweichungen durch die Verbesserung der Intra-Field Critial-Dimension-Uniformity (CDU) und des Wafer On-Product-Overlay (OPO).
Reduktion von Prozessdefekten
Durch Excursion Prevention mit ForTune
Abweichungen in der Strukturierung können durch Prozess- und Lithographieparameter wie Fokus, Photomasken-CDU und Dosis verursacht werden. Strukturierungsdefekte können dabei durch das Zusammenspiel mehrerer Lithographieparameter entstehen, selbst wenn die einzelnen Parameter innerhalb der Spezifikationen liegen.
Zur Reduzierung von Wafer-Intra-Field-Prozessdefekten ist die Excursion Prevention mit dem ZEISS ForTune System eine bewährte Strategie. Dies kann durch den Einsatz der CDC-Applikation von ForTune erreicht werden: Es ermöglicht die Vermeidung von Exkursionen bei geringem Aufwand und niedrigen Kosten in Wafer Fabs. Infolgedessen werden die Ertragsausfälle erheblich reduziert.
Verbessertes Wafer-On-Product-Overlay
Registration Control trägt zu einer besseren OPO für DUV und EUV bei
Das Wafer On-Product Overlay (OPO) ist ein weiterer limitierender Schlüsselparameter für die Chipleistung, der gut kontrolliert werden muss. Die wichtigsten beteiligten Parameter können als feldübergreifende und feldinterne Parameter kategorisiert werden. Beide können über den Scanner gesteuert werden. Allerdings ist die Intra-Field Overlay Auflösung des Scanner begrenzt und kann nur bis zu Polynomen dritter Ordnung entlang der Scanschlitz Richtung korrigiert werden. Diese Scanner-Beschränkung führt zu nicht korrigierbaren Fehlern (NCE) bei hohen Ordnungszahlen, die dazu führen, dass die OPO außerhalb der Spezifikation liegt. ForTune wandelt NCE in CE (Correctable Errors) um, was zu einem verbesserten Intra-Field-Beitrag führt. Dies trägt dazu bei, das Wafer On-Product Overlay sowohl für DUV- als auch für EUV-Photomasken zu reduzieren.
Verbessertes Mix and Match
ForTune EUV reduziert das Overlay zwischen DUV- und EUV-Masken sowie EUV und EUV-Ebenen
Ein High-End-Maskensatz besteht aus mehreren DUV-Photomasken und einigen EUV-Photomasken. Die verschiedenen Ebenen müssen genau übereinander gedruckt werden, um einen funktionalen und leistungsstarken Mikrochip zu erhalten.
Mit seiner RegC®-Funktionalität reduziert ForTune EUV den Intra-Field Anteil, was zu einem optimierten Wafer Mix Match Overlay (MMO) führt.