Ein Mitarbeiter beim Arbeiten im Reinraum an einem PROVE System bei ZEISS SMT

Photomaskenmetrologie-Lösungen

ZEISS PROVE Sie können nur korrigieren, was Sie messen können.

Das Image Placement bleibt ein wichtiger Aspekt der Photomaskenmetrologie. So muss nicht nur die Positionsgenauigkeit der Strukturen für eine einzelne Maske, die eine Ebene in einem vollständigen Chipdesign darstellt, strengen Anforderungen genügen. Der gesamte Maskensatz für alle Ebenen muss übereinstimmen, damit man eine funktionale Einheit erhält. Das Photomaskenregistrations- und Overlay-Metrologiesystem ZEISS PROVE misst das Image Placement mit Wiederholbarkeit und Genauigkeit im Subnanometerbereich, wodurch ein perfektes Image Placement gewährleistet ist.

Ermöglicht hochpräzise Vermessungen der Platzierung der Maskenstrukturen
Ausgezeichnete Korrelation zwischen Maske und Wafer
Ermöglicht EUV-Lithographie
Unterstützt EUV Defect Mitigation Strategy

Complex mask structure
Contact holes
Complex mask structure

Complex mask structure
Contact holes
Complex mask structure

Hochauflösendes Registration- und Overlay-Metrologiesystem

Mit der Einführung von Mehrfach-Strukturierungs-Schemata müssen die meisten Ebenen, die hinsichtlich der kritischen Abmessungen schwierig sind, in getrennte Layouts aufgeteilt und miteinander überlagert werden. Diese Aufgaben erfordern Registration Metrology Systeme, die ein hohes Auflösungsvermögen und strenge Spezifikationen bei Wiederholbarkeit und Genauigkeit für präzise Messungen beim Image Placement aufweisen.

PROVE® neXT Das führende Registration- und Overlay-Metrologiesystem

PROVE® neXT bietet nachweislich eine branchenführende Wiederholbarkeit und Genauigkeit für die Maskenherstellung sowie Multibeam- und VSB-Kalibrierung.
Das System arbeitet mit Optiken für die Lithographie im 193 nm-Bereich, die die niedrigsten Abbildungsfehler liefern.

Mit einer NA von 0,8 für die Messung kleinster Strukturen liefert das System eine bessere Auflösung als jedes andere optische Registration Metrology Tool.

Alle Photo- und Nanoimprint-Masken können präzise gemessen werden, ohne dass es dabei zu Bildkontrastverlust kommt.

Für alle Messaufgaben kann ein schneller Durchsatz realisiert werden, der eine Karte der Registrierungsfehler, die auch als Local Registration Map (LRM) bekannt ist, einschließt.
Digitale Lösungen

Auf dem FAVOR® Server

Mit der FAVOR®-Plattform lassen sich Produktivität und Zuverlässigkeit durch intelligente Automatisierung verbessern.
Local Registration Map (LRM) – Dabei handelt es sich um einen neuen Messmodus für PROVE®, mit dem statt der Registration winziger Strukturelemente die Registration in einem makroskopischen Feld gemessen wird. Dies ist vor allem bei der Kalibrierung von Maskenschreibern nützlich.
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Eine Photomaske mit der typischen Regenbogenstruktur

Präzises Pattern Placement

Zur Realisierung fortgeschrittener Lithographietechniken

Die Einführung von Multibeam Maskenschreibern eröffnet die Möglichkeit, noch komplexere Strukturen zu schreiben, wie sie für inverse Lithografie (ILT) und EUV-Lithografie benötigt werden, ohne dass dadurch der Durchsatz beeinträchtigt wird. Die heutigen High-end Systeme erreichen auf Maskenebene eine Pattern Placement Genauigkeit unter 1 nm. Zur Kalibrierung und Justierung auf ein derartig hohes Leistungsniveau sind diese Tools vollkommen auf Registration Systeme mit geringem Messrauschen angewiesen.

ZEISS PROVE neXT wurde entwickelt, um sich diesen Anforderungen sowohl mit einzigartiger Wiederholbarkeit als auch einer hohen Abtastrate zu stellen.

Strukturen einer Photomaske unter einem Elektronenstrahlmikroskop

Ausgezeichnete Korrelation zwischen Maske und Wafer

Zur Erfüllung der strengsten Overlay-Spezifikationen

Wie der führende Hersteller von EUV- und DUV-Lithographie Systemen nachgewiesen hat, bietet ZEISS PROVE eine ausgezeichnete Korrelation zwischen Maske und Wafer, die für jegliche weitere Optimierung des Overlay in Wafer Fabs entscheidend ist.

Ermöglicht EUV-Lithographie

Messung und Auswertung der Mask Flatness

ZEISS PROVE wird durch hochpräzise Interferometrie für alle Abmessungen im Raum gesteuert. Dadurch kann das System zusätzlich die Mask Flatness für strukturierte und unstrukturierte Masken auswerten, wie es in der EUV-Lithografie erforderlich ist. Es liefert kombinierte Registration Daten für X, Y und Z für weitere Optimierung des Overlay in Wafer Fabs.

Unterstützt EUV Defect Mitigation Strategy

Lokalisierung von Blank- und Absorberdefekten auf EUV-Masken

Neben der Photomasken Registration unterstützt ZEISS PROVE neXT auch die EUV Defektminderungsstrategie. Dank der Genauigkeit und dem Auflösungsvermögen des Positioniertisches ist das System in der Lage, Blank- und Absorberdefekte auf EUV-Masken präzise zu lokalisieren.

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